Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
125 ₽
В наличии на складе №9
-
+
IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
-
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Максимальное напряжение сток-исток, В: 1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 5
Емкость, пФ: 980
Заряд затвора, нКл: 80
Описание: MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
Время: задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность: рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
Вес брутто: 2.82
Способ монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220AB
Упаковка: TUBE, 1000 шт.