29.07.2023
Транзистор IRF6717MTRPBF доступны к заказу
МОП-транзистор 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nCТехнические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.00125 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 96
Крутизна характеристики, S 140
Корпус DirectFET-MZ
Пороговое напряжение на затворе 1.35…2.35