Каталог
- ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
- ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
- ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
- КОММУТАЦИЯ И РАЗЪЕМЫ
- ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
- ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ
- ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
- ПРОВОДА И КАБЕЛЬНАЯ ПРОДУКЦИЯ
- МОБИЛЬНАЯ СВЯЗЬ
- ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЕ И КОНТРОЛЬ ДОСТУПА
-
РАДИОЛЮБИТЕЛЬСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
- РАДИОСТАНЦИИ КВ
- РАДИОСТАНЦИИ УКВ и СВ
- УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ
- РАДИОЛЮБИТЕЛЬСКИЕ ПРИЕМНИКИ
- АНТЕННЫ КВ
- АНТЕННЫ УКВ И СВ
- АНТЕННЫ АВТОМОБИЛЬНЫЕ
- АНТЕННЫЕ ТЮНЕРЫ
- ТЕХНИКА АРГУТ
- КАБЕЛИ И ПРОВОДА
- РАСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
- ПОВОРОТНЫЕ УСТРОЙСТВА
- АНТЕННЫЕ КОММУТАТОРЫ
- АВТОМАТИКА
- ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
- ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ
- РАДИОЛАМПЫ
- РЕЛЕ
- РАЗЪЕМЫ
- ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
- РАДИОДЕТАЛИ И КОМПОНЕНТЫ
- РАДИОЛЮБИТЕЛЬСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ПРАЙС ЛИСТ
- КОМИССИОННЫЙ ОТДЕЛ
- СРЕДСТВА СВЯЗИ ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЕ
- ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
- УМНЫЙ ДОМ
- ТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА
- СРЕДСТВА РАЗРАБОТКИ, КОНСТРУКТОРЫ, ПРОГРАММАТОРЫ, МОДУЛИ
- ЗАПЧАСТИ ДЛЯ РЕМОНТА ЭЛЕКТРОНИКИ
- ЗАПЧАСТИ ДЛЯ БЫТОВОЙ ТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОИНСТРУМЕНТА
- ВСЕ ДЛЯ АВТОМОБИЛЯ
- ВСЕ ДЛЯ ДОМА
Быстрый просмотр
|
В наличии IRLML6401 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -12 Вольт, максимальный ток стока -4.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 50 мОм (при Vgs=-4,5 В, Id =-4.3 А). Аналоги: IRLML6401TRPBF (Infineon) |
6 ₽
-
+
|
Быстрый просмотр
|
В наличии IRFB38N20DPBF N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 220 Вольт, максимальный ток стока 45 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А), заряд затвора 154 нКл. |
140 ₽
-
+
|
Быстрый просмотр
|
В наличии IRF9321TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 15A, корпус SOIC-8 |
50 ₽
-
+
|
|
IRF7805Z?>
|
||
Быстрый просмотр
|
В наличии IRF7805ZTRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл. |
51 ₽
-
+
|
Быстрый просмотр
|
66 ₽
-
+
| |
|
Быстрый просмотр
|
В наличии IRF5210PBF, транзистор полевой кремниевый P-канальный 100В 40А 200Вт Infineon Technologies |
136 ₽
-
+
|
Быстрый просмотр
|
В наличии IRF3205STRLPBF, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус TO-263-3( D2Pak) |
78 ₽
-
+
|
|
IRF1404Z?>
|
||
|
Быстрый просмотр
|
В наличии IRF1404Z N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 40 Вольт, максимальный ток стока 230 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 2.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =60 А), заряд затвора 190 нКл. |
63 ₽
-
+
|
Быстрый просмотр
|
В наличии IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 |
157 ₽
-
+
|
|
AO3415?>
|
||
|
Быстрый просмотр
|
В наличии AO3415 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 39 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-3 А). Аналоги: WM02P40M (WayOn) IRLML6402TRPBF (Infineon) AO3415 (Alpha&Omega Semiconductor) Si2367DS-T1-GE3 (Vishay) |
8 ₽
-
+
|
|
3П326А-2?>
|
||
Быстрый просмотр
|
В наличии 3П326А-2. Ток утечки - 5 мкА. Мощность - 200 мВт. Коэффициент - усиления мощности: 3 дБ. Напряжение - затвор-исток: 4 В. Нестабильность - коэффициента усиления мощности: 0,1 дБ. Порог - перегрузки: 12,5 мВт. Температура окружающей среды при эксплуатации - —60 …+ 85 °С. |
312 ₽
-
+
|
Быстрый просмотр
|
В наличии 2Т984А (200*г). Конфигурация - n-p-n. Ток - обратный: не более 30 мА. Мощность - рассеиваемая макс.: 1,4 Вт. Максимальное напряжение - эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю: 4 В. Максимальный ток - коллектора импульсный: 7 А. |
686 ₽
-
+
|
|
2N7002E?>
|
||
|
Быстрый просмотр
|
В наличии 2N7002E - N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 0.5 А). |
3 ₽
-
+
|
|
Быстрый просмотр
|
В наличии MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом. |
22 ₽
-
+
|
Быстрый просмотр
|
В наличии BCX53-16,115 , транзистор биполярный кремниевый PNP 80 В 1.0 А 1.3 Вт NEXPERIA |
8 ₽
-
+
|
